PRODUIT
- Lasers à diodes
- Lasers à microprocesseur
- Lasers à verre erbium
- Lasers à semi-conducteurs à haute énergie
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RealLight a développé, conçu et fabriqué une gamme de lasers à diodes, incluant des lasers à diodes multi-longueurs d'onde, des lasers à diodes à raie spectrale étroite et des systèmes laser à diodes empilés. Couvrant une plage de longueurs d'onde de 405 nm à 1940 nm, les lasers à diodes multi-longueurs d'onde sont principalement utilisés en dentisterie laser, en thérapie laser, en médecine vétérinaire et dans d'autres secteurs médicaux. Les lasers à diodes à raie spectrale étroite, utilisant une technique de verrouillage de longueur d'onde avec des réseaux de Bragg volumiques (VBG), sont privilégiés pour la spectroscopie Raman et d'autres applications analytiques. Les systèmes laser à diodes empilés, avec leurs multiples longueurs d'onde, leur collimation FAC et leur large plage de températures, sont parfaitement adaptés au pompage laser à semi-conducteurs. Les lasers à diodes à émetteur unique, les réseaux de fibres optiques et autres systèmes laser à diodes peuvent être utilisés dans l'industrie du traitement laser.
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Composants laser à diode 14BTF
405 nm, 450 nm, 520 nm, 638 nm, 650 nm
Puissance de sortie CW : 50-130 mW
Mode unique / Mode multiple
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Composants laser à diode 03BCK
405 nm, 450 nm, 520 nm, 638 nm, 650 nm
Puissance de sortie CW : 50-130 mW
Mode unique / Mode multiple
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Composants laser à diode monomode à espace libre et à faible largeur de raie 08LTR-mini
785 nm, 1064 nm
Puissance de sortie maximale : 300 mW
Stabilité de la longueur d'onde : ≤ 7 pm/°C
Largeur de ligne :<0,1 nm
Espace libre monomode
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Composants laser à diode monomode à espace libre et à faible largeur de raie 14SBTF
532 nm, 785 nm, 1064 nm
Puissance de sortie maximale : 300 mW
Stabilité de la longueur d'onde : ≤ 7 pm/°C
Largeur de ligne :<0,1 nm
Espace libre monomode
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Composants laser à diode à faible largeur de raie 04BCK
785 nm
Puissance de sortie maximale : 100 mW
Stabilité de la longueur d'onde : ≤ 7 pm/°C
Largeur de ligne :<0,1 nm
Mode unique
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Composants laser à diode à faible largeur de raie en espace libre 08LTR
638 nm, 785 nm, 808 nm, 830 nm, 981 nm, 1064 nm
Puissance de sortie maximale : 800 mW
Stabilité de la longueur d'onde : ≤ 7 pm/°C
Largeur de ligne :<0,1 nm
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Composants laser à diode à raie spectrale étroite et fibre optique 14SBTF
532 nm, 638 nm, 785 nm, 808 nm, 830 nm, 981 nm, 1064 nm
Puissance de sortie maximale : 800 mW
Stabilité de la longueur d'onde : ≤ 7 pm/°C
Largeur de ligne :<0,1 nm
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Composants laser à diode à faible largeur de raie en espace libre 14SBTF
638 nm, 785 nm, 808 nm, 830 nm, 981 nm, 1064 nm
Puissance de sortie maximale : 800 mW
Stabilité de la longueur d'onde : ≤ 7 pm/°C
Largeur de ligne :<0,1 nm
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Composants laser à diode à double longueur d'onde et à faible largeur de raie R2T
784,5/785,5 nm, 785/1064 nm, double longueur d'onde
Puissance de sortie maximale : 800 mW
Stabilité de la longueur d'onde : ≤ 7 pm/°C
Largeur de ligne :<0,1 nm
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Réseau de diodes laser empilées verticales refroidies par conduction GS16
790-812 nm, 940 nm
1 à 5 barres
Par barre : 100-200 W
Puissance de crête maximale : 600 W
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Réseau de diodes laser empilées verticales refroidies par conduction GS12
790-812 nm, 940 nm
1-6 barres
Par barre : 100-200 W
Puissance de crête maximale : 800 W
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Réseau de diodes laser empilées verticales refroidies par conduction GS15
790-812 nm, 940 nm
1-12 barres
Par barre : 100-200 W
Puissance de crête maximale : 2000 W
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Réseau de diodes laser refroidies par conduction GS07
796-808 nm
1-15 barres
Par barre : 180 W
Puissance de crête maximale : 2700 W
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Réseau de diodes laser refroidies par conduction GS06
796-808 nm
9 barres
Par barre : 200 W
Équipé d'un FAC et d'un SAC
Puissance de crête maximale : 1800 W
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Réseau de diodes laser refroidies par conduction de la série AA-2
790-812 nm
Disponible sur demande pour les longueurs d'onde de 940 nm à 960 nm.
12-16 barres
Par barre : 100-200 W
Puissance de crête maximale : 2400 W
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