PRODUIT
- Lasers à diodes
- Lasers à microprocesseur
- Lasers à verre erbium
- Lasers à semi-conducteurs à haute énergie
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Les lasers à semi-conducteurs haute énergie développés, conçus et fabriqués par Reallight comprennent des lasers picosecondes, des lasers à commutation Q et des lasers erbium infrarouges moyens, caractérisés par une énergie et une puissance de crête élevées. Ces lasers haute énergie émettent à des longueurs d'onde de 2940 nm, 1064 nm, 532 nm, 355 nm et 266 nm. Les lasers picosecondes sont associés aux lasers à micropuce subnanosecondes de la série MCD (300 ps à 2 ns), développés par Reallight, comme sources d'amorçage, ainsi qu'à d'autres composants tels que les isolateurs des séries RL-ISO et RL-ROT. Ces produits sont largement utilisés en biomédecine, en analyse des matériaux, en télémétrie radar, en traitement laser et dans d'autres domaines.
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Laser picoseconde pompé par lampe série HQF
Double longueur d'onde 1064/532 nm
Fréquence de répétition : 1-10 Hz
Énergie d'impulsion : 200-500 mJ
Durée d'impulsion : 350-400 ps
Peut être équipé en option d'un obturateur optique intégré et d'un détecteur d'énergie
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Laser picoseconde pompé par lampe série HQF avec détecteur d'énergie intégré
Double longueur d'onde 1064/532 nm
Fréquence de répétition : 1-10 Hz
Énergie d'impulsion : 250-500 mJ
Durée d'impulsion : 300 ps
Obturateur optique et détecteur d'énergie intégrés
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Lasers sub-nanosecondes à haute puissance de crête de la série HQP
1064 nm, 532 nm
Fréquence de répétition : 5-50 kHz
Énergie d'impulsion : 40-500 μJ
Durée d'impulsion : 500 ps - 2 ns
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Laser nanoseconde à commutation Q pompé par lampe série HQF
Double longueur d'onde 1064/532 nm
Fréquence de répétition : 1-10 Hz
Énergie de l'impulsion : 400 mJ - 1,2 J
Largeur d'impulsion :<8ns
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Laser à commutation Q active pompé par diode de 180 mJ de la série AQE
1064 nm, 532 nm, 355 nm, 266 nm
Fréquence de répétition : 1-10 Hz
Énergie d'impulsion : 20-180 mJ
Largeur d'impulsion : ≤ 10 ns
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Laser à commutation Q active pompé par diode de 100 mJ de la série AQE
1064 nm, 532 nm, 355 nm, 266 nm
Fréquence de répétition : 1-20 Hz
Énergie de l'impulsion : 10-100 mJ
Largeur d'impulsion : ≤ 10 ns
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Laser à commutation Q active pompé par diode de 50 mJ de la série AQE
1064 nm, 532 nm, 355 nm, 266 nm
Fréquence de répétition : 1-20 Hz
Énergie de l'impulsion : 5-50 mJ
Largeur d'impulsion : ≤ 6 ns
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Laser à semi-conducteurs haute énergie série PQE
1064 nm
Fréquence de répétition : 10 Hz
Énergie de l'impulsion : >10 mJ
Largeur d'impulsion :<3ns
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Laser à impulsion longue à double longueur d'onde pompé par lampe série HQF (2940 nm et 1064 nm)
Double longueur d'onde 2940 nm / 1064 nm
Fréquence de répétition : 10-30 Hz
Énergie de l'impulsion : 200 mJ - 1 J
Largeur d'impulsion : 50 μs - 25 ms
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Laser Er:YAG à impulsion longue de 2940 nm pompé par lampe, série HQF
2940 nm Er:YAG
Fréquence de répétition : 10-20 Hz
Énergie de l'impulsion : 500 mJ - 2 J
Durée d'impulsion : 300-500 μs
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Système de commande d'alimentation pour lasers pompés par lampe
se compose de :
une unité de contrôle principale,
une alimentation pour lampe au xénon pulsée de 1000 à 2000 W,
un écran tactile industriel,
un système de refroidissement par eau
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Bras articulé et pièces à main pour laser picoseconde
1064 nm, 650 nm, 532 nm
7 Unité conjointe
Large choix de pièces à main disponibles
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Bras articulé et pièces à main pour laser Q-switched
1064 nm, 650 nm, 532 nm
7 Unité conjointe
Large choix de pièces à main disponibles
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Bras articulé pour laser à semi-conducteurs pulsé Er:YAG de 2940 nm
2940 nm, 532 nm
7 Unité conjointe
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Cristal laser Cr,Tm,Ho:YAG
