ПРОДУКТ
- Диодные лазеры
- Микрочиповые лазеры
- Эрбиевые стеклянные лазеры
- Высокоэнергетические твердотельные лазеры
-
Высокоэнергетические твердотельные лазеры, разработанные, спроектированные и произведенные компанией Reallight, включают пикосекундные твердотельные лазеры, твердотельные лазеры с модуляцией добротности и среднеинфракрасные эрбиевые лазеры, отличающиеся большой энергией и высокой пиковой мощностью. Высокоэнергетические твердотельные лазеры обеспечивают выходные длины волн 2940 нм, 1064 нм, 532 нм, 355 нм, 266 нм. Пикосекундные лазеры объединены с разработанной компанией Reallight серией субнаносекундных микрочиповых лазеров MCD с длительностью импульса 300 пс-2 нс в качестве источников затравки, а также с другими компонентами, такими как изоляторы серии RL-ISO и ротаторы серии RL-ROT. Эти продукты широко используются в биомедицине, анализе материалов, радиолокационной локации, лазерной обработке и других областях.
-
Пикосекундный лазер серии HQF с ламповой накачкой
1064 / 532 нм Двухволновой
Частота повторения: 1-10 Гц
Энергия импульса: 200-500 мДж
Длительность импульса: 350-400 пс
Может быть оснащен опциональным встроенным оптическим затвором и датчиком энергии.
-
Пикосекундный лазер серии HQF с ламповой накачкой и встроенным детектором энергии.
1064 / 532 нм Двухволновой
Частота повторения: 1-10 Гц
Энергия импульса: 250-500 мДж
Длительность импульса: 300 пс
Встроенный оптический затвор и датчик энергии.
-
Высокомощные субнаносекундные лазеры серии HQP
1064 нм, 532 нм
Частота повторения: 5-50 кГц
Энергия импульса: 40-500 мкДж
Длительность импульса: 500 пс - 2 нс
-
Наносекундный лазер серии HQF с ламповой накачкой и модуляцией добротности
1064 / 532 нм Двухволновой
Частота повторения: 1-10 Гц
Энергия импульса: 400 мДж - 1,2 Дж
Ширина импульса:<8 нс
-
Активно модулированный лазер серии AQE с диодной накачкой, энергией 180 мДж
1064 нм, 532 нм, 355 нм, 266 нм
Частота повторения: 1-10 Гц
Энергия импульса: 20-180 мДж
Длительность импульса: ≤10 нс
-
Активно модулированный лазер серии AQE с диодной накачкой, энергией 100 мДж
1064 нм, 532 нм, 355 нм, 266 нм
Частота повторения: 1-20 Гц
Энергия импульса: 10-100 мДж
Длительность импульса: ≤10 нс
-
Активно модулированный лазер серии AQE с диодной накачкой, энергией 50 мДж
1064 нм, 532 нм, 355 нм, 266 нм
Частота повторения: 1-20 Гц
Энергия импульса: 5-50 мДж
Длительность импульса: ≤6 нс
-
Высокоэнергетический твердотельный лазер серии PQE
1064 нм
Частота повторения: 10 Гц
Энергия импульса: >10 мДж
Ширина импульса:<3нс
-
Двухволновой длинноимпульсный лазер серии HQF с ламповой накачкой (2940 нм и 1064 нм)
2940 нм / 1064 нм Двухволновое излучение
Частота повторения: 10-30 Гц
Энергия импульса: 200 мДж-1Дж
Длительность импульса: 50 мкс – 25 мс
-
Лазер Er:YAG серии HQF с ламповой накачкой и длинным импульсом 2940 нм
2940 нм Er:YAG
Частота повторения: 10-20 Гц
Энергия импульса: 500 мДж-2 Дж
Длительность импульса: 300-500 мкс
-
Система управления питанием для лазеров с ламповой накачкой
состоит из:
главный блок управления,
источник питания для импульсной ксеноновой лампы мощностью 1000-2000 Вт.
промышленный сенсорный экран,
система водяного охлаждения
-
Шарнирный кронштейн и манипуляторы для пикосекундного лазера
1064 нм, 650 нм, 532 нм
7 Объединенное подразделение
Широкий выбор наконечников в наличии.
-
Шарнирный кронштейн и рукоятки для импульсного лазера
1064 нм, 650 нм, 532 нм
7 Объединенное подразделение
Широкий выбор наконечников в наличии.
-
Шарнирный кронштейн для твердотельного импульсного лазера Er:YAG с длиной волны 2940 нм
2940 нм, 532 нм
7 Объединенное подразделение
-
Лазерный кристалл Cr,Tm,Ho:YAG
777