ПРОДУКТ
- Диодные лазеры
- Микрочиповые лазеры
- Эрбиевые стеклянные лазеры
- Высокоэнергетические твердотельные лазеры
-
Разработанные компанией RealLight микрочиповые лазеры представляют собой пассивно модулированные по добротности диодные лазеры. RealLight предлагает эти микрочиповые лазеры с выходными длинами волн 660 нм, 532 нм, 515 нм и 473 нм, частотой повторения от 1 Гц до 100 кГц и длительностью импульса от 300 пс до 2,5 нс. Технология упаковки лазерных диодов и интегрированная конструкция диодного модуля и лазерного кристалла обеспечивают удобство установки и интеграции благодаря компактным размерам. Эти лазеры поддерживают внутреннее/внешнее управление и могут быть оснащены миниатюрными OEM-платами управления, идеально подходящими для микрообработки материалов, спектрального анализа, LIDAR, источников накачки, биомедицины и т. д.
-
Микрочиповый лазер серии MCL 2,5 нс, 660 нм
660 нм
Энергия импульса: 10 мкДж
Частота повторения: 1 кГц
Длительность импульса: 2 нс
-
Микрочиповый лазер MCH серии 300 пс SLM, 532 нм
532 нм
Энергия импульса: 0,5-1,5 мкДж
Частота повторения: 20-100 кГц
Длительность импульса: 300-500 пс
-
Микрочиповый лазер серии MCA-R 2 нс, 532 нм
532 нм
Энергия импульса: 55-90 мкДж
Частота повторения: 2,5 кГц
Длительность импульса: 2-2,5 нс
-
Микрочиповый лазер MCC серии 750ps, 532 нм
532 нм
Энергия импульса: 10-50 мкДж
Частота повторения: 1-20 кГц
Длительность импульса: 600-750 пс
-
Микрочиповый лазер серии MCA 1,5 нс, 532 нм
532 нм
Энергия импульса: 10-60 мкДж
Частота повторения: 1-20 кГц
Длительность импульса: 1,2-1,5 нс
-
Микрочиповый лазер MCD серии 350ps, 532 нм
532 нм
Энергия импульса: 30 мкДж
Частота повторения: 100 Гц
Длительность импульса: 300 пс
-
Микрочиповый лазер серии MCO с регулируемой энергией и волоконным выводом, 532 нм
532 нм
Энергия импульса: 25 мкДж
Частота повторения: 1-200 Гц
Длительность импульса: ≤1 нс
-
Микрочиповый лазер серии MCO с регулируемой энергией, работающий в свободном пространстве, 532 нм
532 нм
Энергия импульса: 30 мкДж
Частота повторения: 1-200 Гц
Длительность импульса: ≤1 нс
-
Лазер для микрочипов серии MCJ 1ns, 515 нм
515 нм
Энергия импульса: 40 мкДж
Частота повторения: 1 кГц
Длительность импульса: 900 пс
-
Микрочиповый лазер серии MCI 2,5 нс, 473 нм
473 нм
Энергия импульса: 4 мкДж
Частота повторения: 1 кГц
Длительность импульса: 2 нс
